IRFB4110

IRFB4110PBF — MOSFET de Potencia N-Channel

⚡ Tipo: MOSFET de potencia, canal N

🏷️ Fabricante: Infineon / International Rectifier

📦 Encapsulado: TO-220AB, 3 pines

🔋 VDS máximo: 100 V

💪 Corriente de drenaje: hasta 180 A*

📉 RDS(on): máx. 4,5 mΩ a VGS = 10 V

🚪 VGS máximo: ±20 V

⚙️ Tensión de compuerta para especificar RDS(on): 10 V

🔥 Disipación máxima: 370 W

🌡️ Temperatura de unión: −55 °C a +175 °C

🔌 Carga total de compuerta: aprox. 150 nC típica / 210 nC máx.

🔄 Frecuencia de conmutación: adecuado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad; Infineon lo posiciona también para aplicaciones de hasta alrededor de 100 kHz.