
Potencia, eficiencia y rendimiento industrial en un solo componente.
El K50T60 (IKW50N60T) es un IGBT (Transistor Bipolar de Puerta Aislada) de alta eficiencia, diseñado para aplicaciones que requieren alta corriente y voltaje, como inversores de onda pura, fuentes conmutadas, controladores de motores, soldadoras y UPS.
Combina la facilidad de control de un MOSFET con la capacidad de potencia de un transistor bipolar, ofreciendo baja pérdida de conmutación y excelente rendimiento térmico.
Fabricado con materiales de alta calidad, este modelo garantiza durabilidad, estabilidad y rendimiento superior incluso bajo cargas exigentes.
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🔧 Especificaciones técnicas
Modelo: K50T60 / IKW50N60T
Tipo: IGBT de potencia
Corriente máxima (Ic): 50A
Voltaje máximo (Vce): 600V
Encapsulado: TO-247
Tensión de compuerta (Vge): ±20V
Frecuencia de conmutación: Alta velocidad
Temperatura de trabajo: –55°C a +150°C
Disipación de potencia: Alta, ideal para sistemas de potencia
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⚡ Características destacadas
✅ Alta eficiencia energética y baja caída de voltaje
✅ Excelente desempeño térmico y estabilidad
✅ Respuesta rápida con mínima pérdida de conmutación
✅ Ideal para equipos de alta potencia y uso continuo
✅ Encapsulado robusto y confiable
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🧰 Aplicaciones recomendadas
🔋 Inversores solares y de onda pura
⚙️ Máquinas de soldar y controladores de motor
⚡ UPS y fuentes de alimentación industriales
🔧 Reparaciones de equipos electrónicos de alto rendimiento